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6 octobre 2010 : Mos canal N

Vous trouverez dans ce journal de bord les informations sur les développements en cours : nouvelles idées, difficultés du moment et autres errements, ainsi que, parfois, les états d'âmes du développeur face à la page blanche ... du clavier .
Ne vous étonnez pas non plus d'avoir l'impression de lire du charabia pour certaines informations techniques : ce journal me sert aussi de mémento pour le développement d'E.CO.R.C.E.

Aujourd'hui, moral au beau fixe : le site web est en voie d'achèvement. La documentation est presque terminée, il manque juste 2 vidéos. Je dois également compléter les références bibliographiques (contact avec Thierry Talbert, Thierry Contaret et Jean-Daniel Saussine), et pour boucler l'ensemble, il faut générer automatiquement la documentation des exemples à partir des données de simulation. Cette partie la demandera probablement plusieurs jours de travail.

Au niveau d'E.CO.R.C.E., j'ai bien progressé sur les problèmes de convergence rencontrés avec les transistors MOS. Je dois changer le critère de correction du maillage : il faut raffiner en fonction de la variation de la dérivée première entre 2 arètes voisines. En effet la méthode des éléments finis suppose que les grandeurs varient de façon linéaire dans un élément. Les résultats obtenus sont d'autant plus justes que cette approximation est vraie. Rendez-vous dans quelques semaines pour les premiers tests ...

Je vais probablement assouplir les critères de convergence lorsque on corrige le maillage en cours d'étape. Si j'ai bien compris, tant que le maillage n'est pas correct, il n'est pas possible de calculer avec une bonne précision les faibles densités d'électrons et de trous. Pour l'instant, le critère sévère de convergence utilisé à ce stade ralenti inutilement les calculs.

Et pour finir voici quelques résultats obtenus sur des transistors MOS à canal N. On observe le pincement du canal lorsque la tension de grille passe de 0V à -15V.

Alain

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Contact : Alain Michez